德國BALLUFF巴魯夫BSP00H3壓力傳感器技術(shù)參數(shù)

德國BALLUFF巴魯夫BSP00H3壓力傳感器它一般采用圓形金屬薄膜或鍍金屬薄膜作為電容器的一個電極，當薄膜感受壓力而變形時，薄膜與固定電極之間形成的電容量發(fā)生變化，通過測量電路即可輸出與電壓成一定關(guān)系的電信號。電容式壓力傳感器屬于極距變化型電容式傳感器，可分為單電容式壓力傳感器和差動電容式壓力傳感器 [1] 。根據(jù)半導體PN結(jié)（或肖特基結(jié)）在應(yīng)力作用下,I-υ特性發(fā)生變化的原理制成的各種壓敏二極管或晶體管。這種壓力敏感元件的性能很不穩(wěn)定，未得到很大的發(fā)展。另一類是根據(jù)半導體壓阻效應(yīng)構(gòu)成的傳感器，這是半導體壓力傳感器的主要品種。早期大多是將半導體應(yīng)變片粘貼在彈性元件上，制成各種應(yīng)力和應(yīng)變的測量儀器。

這種壓力傳感器結(jié)構(gòu)簡單可靠，沒有相對運動部件，傳感器的壓力敏感元件和彈性元件合為一體，免除了機械滯后和蠕變，提高了傳感器的性能。半導體的壓阻效應(yīng) 　半導體具有一種與外力有關(guān)的特性，隨所承受的應(yīng)力而改變，稱為壓阻效應(yīng)。單位應(yīng)力作用下所產(chǎn)生的電阻率的相對變化，稱為壓阻系數(shù),以符號π表示。半導體電阻承受應(yīng)力時所產(chǎn)生的電阻值的變化，主要由電阻率的變化所決定，所以上述壓阻效應(yīng)的表達式也可寫在外力作用下,半導體晶體中產(chǎn)生一定的應(yīng)力(σ)和應(yīng)變(ε)，它們之間的相互關(guān)系，若以半導體所承受的應(yīng)變來表示壓阻效應(yīng)，則是 墹R/R=Gε稱為壓力傳感器的靈敏因子，它表示在單位應(yīng)變下所產(chǎn)生的電阻值的相對變化單電容式壓力傳感器，它由圓形薄膜與固定電極構(gòu)成。

薄膜在壓力的作用下變形，從而改變電容器的容量，其靈敏度大致與薄膜的面積和壓力成正比而與薄膜的張力和薄膜到固定電極的距離成反比。另一種型式的固定電極取凹形球面狀，膜片為周邊固定的張緊平面，膜片可用塑料鍍金屬層的方法制成。這種型式適于測量低壓，并有較高過載能力。還可以采用帶活塞動極膜片制成測量高壓的單電容式壓力傳感器。這種型式可減小膜片的直接受壓面積，以便采用較薄的膜片提高靈敏度。它還與各種補償和保護部以及放大電路整體封裝在一起，以便提高抗干擾能力。這種傳感器適于測量動態(tài)高壓和對飛行器進行遙測。單電容式壓力傳感器還有傳聲器式（即話筒式）和聽診器式等型式

技術(shù)參數(shù)：

余波 (Ue的百分比) 15 %

關(guān)閉延時toff 0.02 ms

安全開關(guān)場強Ha 2 kA/m

工作電壓Ub 10~30 VDC

應(yīng)用分類 DC -13

開關(guān)頻率 30000 Hz

接通延時值 0.02 ms

剩余電流lr 10 µA

無功電流Io，無衰減 3.5 mA

負載電容，在Ue下 1 µF

測量工作電壓Ue DC 24 V

測量工作電流Ie 100 mA

測量開關(guān)場強Hn 1.2 kA/m

測量短路電流 100 A

測量絕緣電壓Ui 75 V DC

電壓降，靜態(tài)， 1 V

輸出電阻RA 漏極開路

遲滯H (Hn的百分比) 45 %